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2N7002W-TP

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2N7002W-TP

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

non conforme

2N7002W-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.06750 -
6,000 $0.06150 -
15,000 $0.05550 -
30,000 $0.05250 -
75,000 $0.04950 -
161 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 115mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

RF4E100AJTCR
RF4E100AJTCR
$0 $/morceau
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
IRF8721TRPBF
NTMS4939NR2G
NTMS4939NR2G
$0 $/morceau
SIHD14N60E-GE3
SIHD14N60E-GE3
$0 $/morceau
BUK7219-55A,118
SQJ146ELP-T1_GE3

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