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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de transistor | PNP - Pre-Biased + Diode |
courant - collecteur (ic) (max) | 100 mA |
tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
résistance - base (r1) | 10 kOhms |
résistance - base émettrice (r2) | 10 kOhms |
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 5mA, 5V |
saturation vce (max) à ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
courant - coupure du collecteur (max) | 500nA |
fréquence - transition | 250 MHz |
puissance - max | 300 mW |
type de montage | Through Hole |
paquet / étui | TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) |
package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
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