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MCCD2004-TP

MCCD2004-TP

MCCD2004-TP

MOSFET 2N-CH 20V 10A

non conforme

MCCD2004-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.15200 -
6,000 $0.14400 -
15,000 $0.13600 -
30,000 $0.13200 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1955pF @ 10V
puissance - max -
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-WFDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur DFN2030-6
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Numéro de pièce associé

AO6800
FDS3601
FDS3601
$0 $/morceau
NTZD3152PT1H
NTZD3152PT1H
$0 $/morceau
CSD87313DMS
CSD87313DMS
$0 $/morceau
SIA906EDJ-T1-GE3
RM2020ES9
RM2020ES9
$0 $/morceau
FDMS7620S-F106
FDMS7620S-F106
$0 $/morceau
FDS4897AC
FDS4897AC
$0 $/morceau

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