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MCG20P03-TP

MCG20P03-TP

MCG20P03-TP

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

compliant

MCG20P03-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
9990 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1750 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 21W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN3333
paquet / étui 8-VDFN Exposed Pad
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Numéro de pièce associé

IRF3610STRLPBF
BSC252N10NSFGATMA1
RF4E110BNTR
RF4E110BNTR
$0 $/morceau
STL18N65M2
STL18N65M2
$0 $/morceau
AOD240
GKI03061
GKI03061
$0 $/morceau
STP20N95K5
STP20N95K5
$0 $/morceau
STH290N4F6-6AG

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