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MSJPF06N80A-BP

MSJPF06N80A-BP

MSJPF06N80A-BP

MOSFET

compliant

MSJPF06N80A-BP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 349 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 22W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NVMYS029N08LHTWG
NVMYS029N08LHTWG
$0 $/morceau
NVHL040N65S3
NVHL040N65S3
$0 $/morceau
IPTG210N25NM3FDATMA1
MCG20N04-TP
MCG20N04-TP
$0 $/morceau
RF1S15N08L
RF1S15N08L
$0 $/morceau
G5P40L
G5P40L
$0 $/morceau
SI1079X-T1-GE3
SI1079X-T1-GE3
$0 $/morceau
DMNH6021SPS-13

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