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SI2102A-TP

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SI2102A-TP

N-CHANNEL MOSFET

non conforme

SI2102A-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
2088 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 220 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

PHB27NQ10T,118
IMZ120R220M1HXKSA1
IPP80P04P4L06AKSA1
SUP90P06-09L-E3
APT5015SVFRG
RSD200N05TL
RSD200N05TL
$0 $/morceau
DMP3098LSS-13
CSD17327Q5A
CSD17327Q5A
$0 $/morceau
BSS606NH6327XTSA1

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