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SI3099-TP

SI3099-TP

SI3099-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

SI3099-TP Fiche de données

compliant

SI3099-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.1A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 408mOhm @ 500nA, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.72 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 61 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

NVMFS5831NLWFT1G
NVMFS5831NLWFT1G
$0 $/morceau
APTM20DAM08TG
MCTL300N10Y-TP
SI3401-TP
SI3401-TP
$0 $/morceau
AONR21305C
STU5N65M6
STU5N65M6
$0 $/morceau
2SK1152-90L
RF1S9630
RF1S9630
$0 $/morceau
NVH050N65S3F
NVH050N65S3F
$0 $/morceau
NTMTS1D2N08H
NTMTS1D2N08H
$0 $/morceau

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