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US1JE-TP

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DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

US1JE-TP Fiche de données

compliant

US1JE-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
6,000 $0.08775 -
12,000 $0.08100 -
30,000 $0.07650 -
60,000 $0.07425 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 600 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 1 A
vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 75 ns
courant - fuite inverse @ vr 10 µA @ 600 V
capacité à vr, f 17pF @ 4V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui DO-214AC, SMA
package d'appareils du fournisseur DO-214AC (SMAE)
température de fonctionnement - jonction -50°C ~ 150°C
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Numéro de pièce associé

US2M
US2M
$0 $/morceau
BAT64A-7-F
BAT64A-7-F
$0 $/morceau
UFS570JE3/TR13
FR1GF_R2_00001
HV3
HV3
$0 $/morceau
STTH212U
STTH212U
$0 $/morceau
SDB14HS
SDB14HS
$0 $/morceau

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