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2N6660

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MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

2N6660 Fiche de données

compliant

2N6660 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.41000 $11.41
25 $10.46480 $261.62
100 $10.18050 $1018.05
2161 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 410mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 24 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.25W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-39
paquet / étui TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Numéro de pièce associé

STB11NK40ZT4
STB11NK40ZT4
$0 $/morceau
SIRS700DP-T1-GE3
IXFA130N10T2-TRL
IXFA130N10T2-TRL
$0 $/morceau
BUK7675-100A,118
SIR576DP-T1-RE3
RRH140P03TB1
RRH140P03TB1
$0 $/morceau
DMG301NU-13
DMG301NU-13
$0 $/morceau
DMN2028UVT-7
NTMFD4952NFT1G
NTMFD4952NFT1G
$0 $/morceau
SIHP8N50D-E3
SIHP8N50D-E3
$0 $/morceau

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