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APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

non conforme

APTM100H35FT3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
100 $100.07640 $10007.64
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 4 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 1000V (1kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A
rds activé (max) à id, vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 2.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 186nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5200pF @ 25V
puissance - max 390W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP3
package d'appareils du fournisseur SP3
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Numéro de pièce associé

NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG
$0 $/morceau
LKK47-06C5
LKK47-06C5
$0 $/morceau
CPH3418-TL-H-ON
CPH3418-TL-H-ON
$0 $/morceau
FDMC0205
SP8K33HZGTB
SP8K33HZGTB
$0 $/morceau
MTC120WX75GD-SMD
MTC120WX75GD-SMD
$0 $/morceau
APTM50HM75SCTG
APTC60VDAM24T3G
2SJ418-TL-E-SY
2SJ418-TL-E-SY
$0 $/morceau
2SK583-MTK-AA
2SK583-MTK-AA
$0 $/morceau

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