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APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

non conforme

APTM60H23FT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
100 $37.22490 $3722.49
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 4 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 600V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 276mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 165nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5316pF @ 25V
puissance - max 208W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP1
package d'appareils du fournisseur SP1
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Numéro de pièce associé

MSCSM170DUM058AG
DMN21D1UDA-7B
UT6KC5TCR
UT6KC5TCR
$0 $/morceau
2SJ655-MG5
2SJ655-MG5
$0 $/morceau
FSS133-TL-E
FSS133-TL-E
$0 $/morceau
FDS8926
FDS8926
$0 $/morceau
MSCSM120DHM31CTBL2NG
DMN15M3UCA6-7
SP8K24HZGTB
SP8K24HZGTB
$0 $/morceau
IRF810
IRF810
$0 $/morceau

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