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APTMC120TAM12CTPAG

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MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

non conforme

APTMC120TAM12CTPAG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
100 $1,928.68540 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
fonctionnalité FET Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (vdss) 1200V (1.2kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 220A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 150A, 20V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 30mA (Typ)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 483nC @ 20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8400pF @ 1000V
puissance - max 925W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP6
package d'appareils du fournisseur SP6-P
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Numéro de pièce associé

AO3415B
GWM120-0075X1-SLSAM
GWM120-0075X1-SLSAM
$0 $/morceau
EFC8822R-X-TF
EFC8822R-X-TF
$0 $/morceau
APTM120H57FT3G
FDC6000NZ
FDC6000NZ
$0 $/morceau
GWM160-0055P3
GWM160-0055P3
$0 $/morceau
HUFA76413DK8T-F085P
HUFA76413DK8T-F085P
$0 $/morceau
MCH6606-TL-EX
MCH6606-TL-EX
$0 $/morceau

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