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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tension drain-source (vdss) | 1700V (1.7kV) |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 100A (Tc) |
rds activé (max) à id, vgs | 30mOhm @ 100A, 20V |
vgs(th) (max) à id | 2.3V @ 5mA (Typ) |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 380nC @ 20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 6160pF @ 1000V |
puissance - max | 700W |
température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Chassis Mount |
paquet / étui | SP1 |
package d'appareils du fournisseur | SP1 |
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