Welcome to ichome.com!

logo
Maison

DN2530N8-G

DN2530N8-G

DN2530N8-G

MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA

SOT-23

non conforme

DN2530N8-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $0.51912 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 12Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 1.6W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-243AA (SOT-89)
paquet / étui TO-243AA
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IPI50R250CPXKSA1
SPP02N80C3XKSA1
NTD95N02RG
NTD95N02RG
$0 $/morceau
AOW12N50
IXTH32P20T
IXTH32P20T
$0 $/morceau
DMNH6011LK3-13
IPD30N03S4L14ATMA1
ZXMN20B28KTC
BSC0502NSIATMA1
RM50P30DF
RM50P30DF
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.