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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tension drain-source (vdss) | 1200 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 21A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 20V |
| rds activé (max) à id, vgs | 225mOhm @ 8A, 20V |
| vgs(th) (max) à id | 3.26V @ 500µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 34 nC @ 20 V |
| vgs (max) | +23V, -10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 510 pF @ 1000 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 125W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| type de montage | - |
| package d'appareils du fournisseur | - |
| paquet / étui | - |
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