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NXV65UPR

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NXV65UP/SOT23/TO-236AB

NXV65UPR Fiche de données

compliant

NXV65UPR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
14245 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 458 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-236AB
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

FQB8N60CTM
FQB8N60CTM
$0 $/morceau
STL130N8F7
STL130N8F7
$0 $/morceau
FDD24AN06LA0
SIR876BDP-T1-RE3
NVTFS4C25NTAG
NVTFS4C25NTAG
$0 $/morceau
IXTH52N65X
IXTH52N65X
$0 $/morceau
IRFR120PBF-BE3
IRFR120PBF-BE3
$0 $/morceau
STP75N3LLH6
STP75N3LLH6
$0 $/morceau

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