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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de transistor | PNP - Pre-Biased |
| courant - collecteur (ic) (max) | 100 mA |
| tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
| résistance - base (r1) | 2.2 kOhms |
| résistance - base émettrice (r2) | 47 kOhms |
| gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 10mA, 5V |
| saturation vce (max) à ib, ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| courant - coupure du collecteur (max) | 100nA |
| fréquence - transition | 180 MHz |
| puissance - max | 340 mW |
| type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
| paquet / étui | 3-XDFN Exposed Pad |
| package d'appareils du fournisseur | DFN1110D-3 |
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