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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de transistor | PNP - Pre-Biased |
courant - collecteur (ic) (max) | 100 mA |
tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
résistance - base (r1) | 22 kOhms |
résistance - base émettrice (r2) | 22 kOhms |
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 5mA, 5V |
saturation vce (max) à ib, ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
courant - coupure du collecteur (max) | 100nA |
fréquence - transition | 180 MHz |
puissance - max | 340 mW |
type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
paquet / étui | 3-XDFN Exposed Pad |
package d'appareils du fournisseur | DFN1110D-3 |
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