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PHN210T,118

PHN210T,118

PHN210T,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

compliant

PHN210T,118 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250pF @ 20V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

NVMFD5483NLT3G
NVMFD5483NLT3G
$0 $/morceau
IRF7331PBF
NVMD3P03R2G
EFC4618R-TR
EFC4618R-TR
$0 $/morceau
BSC750N10NDGATMA1
SI1988DH-T1-E3
SI1988DH-T1-E3
$0 $/morceau
FDMA3027PZ
FDMA3027PZ
$0 $/morceau
APTMC120TAM33CTPAG
FC6946010R

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