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PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

compliant

PHT6NQ10T,135 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.33210 -
8,000 $0.31230 -
12,000 $0.30240 -
28,000 $0.29700 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 633 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-223
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

FDP5680
FDP5680
$0 $/morceau
R6025JNZ4C13
R6025JNZ4C13
$0 $/morceau
MCM1206-TP
MCM1206-TP
$0 $/morceau
STD80N10F7
STD80N10F7
$0 $/morceau
NTD4813NHT4G
NTD4813NHT4G
$0 $/morceau
SQJ454EP-T1_GE3
AON6384
SIHP068N60EF-GE3
NVR4501NT1G
NVR4501NT1G
$0 $/morceau

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