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PMT560ENEAX

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MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

compliant

PMT560ENEAX Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.15444 -
2,000 $0.14157 -
5,000 $0.13299 -
10,000 $0.12441 -
25,000 $0.11411 -
50,000 $0.10982 -
577 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 715mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.7V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 112 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 750mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-223
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

PSMN5R0-30YL,115
R6024KNZ1C9
R6024KNZ1C9
$0 $/morceau
HUF76423D3S
IPD50N04S408ATMA1
SQJA36EP-T1_GE3
RD3P100SNFRATL
RSQ025P03HZGTR
IRLR014TRPBF
IRLR014TRPBF
$0 $/morceau
RQ6E045RPTR
RQ6E045RPTR
$0 $/morceau

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