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PMZ200UNEYL

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MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3

compliant

PMZ200UNEYL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10,000 $0.08100 -
30,000 $0.07657 -
50,000 $0.06903 -
100,000 $0.06770 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 950mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 89 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-883
paquet / étui SC-101, SOT-883
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Numéro de pièce associé

IRFB7530PBF
NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG
$0 $/morceau
FDME905PT
FDME905PT
$0 $/morceau
AUIRFR8405TRL
IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
$0 $/morceau
BUZ22E3045A
SI7110DN-T1-E3
SI7110DN-T1-E3
$0 $/morceau
NTB22N06T4
NTB22N06T4
$0 $/morceau

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