Welcome to ichome.com!

logo
Maison

PSMN8R5-60YS,115

PSMN8R5-60YS,115

PSMN8R5-60YS,115

MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56

compliant

PSMN8R5-60YS,115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $0.41547 -
3,000 $0.38777 -
7,500 $0.36838 -
10,500 $0.35453 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 76A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2370 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 106W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
paquet / étui SC-100, SOT-669
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IRF6619
IRF6619
$0 $/morceau
FDZ293P
FDZ293P
$0 $/morceau
IXTQ130N10T
IXTQ130N10T
$0 $/morceau
SI4186DY-T1-GE3
AOTF11N60L
AON6484
SIR878BDP-T1-RE3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.