Welcome to ichome.com!

logo
Maison

2N7000

2N7000

2N7000

MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92

2N7000 Fiche de données

non conforme

2N7000 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
10 $0.37000 $3.7
100 $0.25570 $25.57
500 $0.17718 $88.59
1,000 $0.13434 -
5652 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 60 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-92
paquet / étui TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

FDD2582
FDD2582
$0 $/morceau
FK4B01120L1
ISL9N310AD3
MTSF3N02HDR2
MTSF3N02HDR2
$0 $/morceau
NDF05N50ZH
NDF05N50ZH
$0 $/morceau
NVMFS6H848NLT1G
NVMFS6H848NLT1G
$0 $/morceau
IPTC019N10NM5ATMA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.