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NTE2973

NTE2973

NTE2973

MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P

NTE2973 Fiche de données

compliant

NTE2973 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.64000 $14.64
500 $14.4936 $7246.8
1000 $14.3472 $14347.2
1500 $14.2008 $21301.2
2000 $14.0544 $28108.8
2500 $13.908 $34770
252 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 850mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2900 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 275W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-3P-3, SC-65-3
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Numéro de pièce associé

IXTH80N075L2
IXTH80N075L2
$0 $/morceau
APT10035JFLL
IMZA65R027M1HXKSA1
BSS138 RFG
IRF5803TRPBF
STW31N65M5
STW31N65M5
$0 $/morceau
IXTN102N65X2
IXTN102N65X2
$0 $/morceau
IRF1010ESTRLPBF

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