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BA591/A115

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BA591/A115

BA591/A115

NXP USA Inc.

MIXER DIODE, VERY HIGH FREQUENCY

BA591/A115 Fiche de données

compliant

BA591/A115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
6000 items
Ajouter au souhait
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
capacité à vr, f -
rapport de capacité -
condition de rapport de capacité -
tension - crête inverse (max) -
type de diode -
q @ vr, f -
température de fonctionnement -
type de montage -
paquet / étui -
package d'appareils du fournisseur -
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Numéro de pièce associé

HVC386BTRF-E
Renesas Electronics America Inc
HVC386BTRF-E
$0 $/morceau
GC1213-23-0
Microchip Technology
GC1213-23-0
$0 $/morceau
GCX1206-23-0
Microchip Technology
GCX1206-23-0
$0 $/morceau
GCX1209-23-0
Microchip Technology
GCX1209-23-0
$0 $/morceau
HVU306ATRU-E
Renesas Electronics America Inc
HVU306ATRU-E
$0 $/morceau
SVC251SPA
onsemi
SVC251SPA
$0 $/morceau
HVC355B7KRF-E
Renesas Electronics America Inc
HVC355B7KRF-E
$0 $/morceau
HVU365TRF-E
Renesas Electronics America Inc
HVU365TRF-E
$0 $/morceau
HVU350BTRF-E
Renesas Electronics America Inc
HVU350BTRF-E
$0 $/morceau
1SV314(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SV314(TPL3,F)
$0 $/morceau
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