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BUK655R0-75C,127

BUK655R0-75C,127

BUK655R0-75C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

compliant

BUK655R0-75C,127 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 75 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 177 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 11400 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 263W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

PHK18NQ03LT,518
RM25N30DN
RM25N30DN
$0 $/morceau
IXFK32N100X
IXFK32N100X
$0 $/morceau
BSC900N20NS3GATMA1
BUK9Y19-55B,115
APT24M80B
APT24M80B
$0 $/morceau
VN10KN3-G-P003
HUF75545S3
IXTP32P05T
IXTP32P05T
$0 $/morceau

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