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PDTB123ES,126

PDTB123ES,126

PDTB123ES,126

NXP USA Inc.

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

non conforme

PDTB123ES,126 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de transistor PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max) 500 mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50 V
résistance - base (r1) 2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2) 2.2 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 40 @ 50mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition -
puissance - max 500 mW
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
package d'appareils du fournisseur TO-92-3
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Numéro de pièce associé

BCR 198T E6327
DRC2152Z0L
DTA114TEBTL
DTA114TEBTL
$0 $/morceau
PDTC114YS,126
PDTC114YS,126
$0 $/morceau
UNR51ATG0L
UNR32ATG0L
DDTA123YKA-7-F
DDTA115GKA-7-F
BCR 139L3 E6327
DTC123JEBMGTL

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