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PH6530AL115

PH6530AL115

PH6530AL115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

SOT-23

non conforme

PH6530AL115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
4500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
paquet / étui SC-100, SOT-669
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Numéro de pièce associé

AONS36314
IMZ120R045M1XKSA1
FDH44N50
FDH44N50
$0 $/morceau
STWA65N60DM6
STWA65N60DM6
$0 $/morceau
FKP202
FKP202
$0 $/morceau
PSMNR90-40SSHJ
IRF9520PBF-BE3
IRF9520PBF-BE3
$0 $/morceau
IXFA60N25X3
IXFA60N25X3
$0 $/morceau
RM80N100T2
RM80N100T2
$0 $/morceau
FDU6676AS

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