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PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

non conforme

PMWD19UN,518 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.33600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.6A
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 700mV @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1478pF @ 10V
puissance - max 2.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
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Numéro de pièce associé

IPI60R380C6
AON2801L#A
SI4539ADY-T1-GE3
AO6804
AUIRF7309Q
MP6M14TCR
MP6M14TCR
$0 $/morceau
BUK98150-55/CU
SP8K33FRATB
SP8K33FRATB
$0 $/morceau
AO8804

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