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2N7002LT1

2N7002LT1

2N7002LT1

onsemi

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

2N7002LT1 Fiche de données

compliant

2N7002LT1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 115mA (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

IXTH240N055T
IXTH240N055T
$0 $/morceau
IRF3711ZCSTRLP
IRFU3710Z
IRFU3710Z
$0 $/morceau
SIR844DP-T1-GE3
HUFA75329D3S
HUFA75329D3S
$0 $/morceau
XR46000ESETR
XR46000ESETR
$0 $/morceau
IPP60R520CPXKSA1
IRFSL17N20D
IXFN44N50
IXFN44N50
$0 $/morceau
HUFA75823D3ST
HUFA75823D3ST
$0 $/morceau

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