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2SJ632-TD-E

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onsemi

2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

compliant

2SJ632-TD-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.38000 $0.38
500 $0.3762 $188.1
1000 $0.3724 $372.4
1500 $0.3686 $552.9
2000 $0.3648 $729.6
2500 $0.361 $902.5
12073 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

FDC608PZ-F171
FDC608PZ-F171
$0 $/morceau
DMN3018SFGQ-7
DMTH61M8SPS-13
R8006KNXC7G
R8006KNXC7G
$0 $/morceau
SIR180ADP-T1-RE3
CMS07P10V8-HF
2SK1094-E

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