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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 50 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 70mA (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 1.5V, 4V |
rds activé (max) à id, vgs | 23Ohm @ 40mA, 4V |
vgs(th) (max) à id | - |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 1.4 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 7.4 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 150mW (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | MCP |
paquet / étui | SC-70, SOT-323 |
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