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FCPF20N60T

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onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

compliant

FCPF20N60T Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.32000 $2.32
500 $2.2968 $1148.4
1000 $2.2736 $2273.6
1500 $2.2504 $3375.6
2000 $2.2272 $4454.4
2500 $2.204 $5510
2000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3080 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

MCAC38N10Y-TP
DMT32M4LFG-13
RFP8N20
RFP8N20
$0 $/morceau
IPL65R130CFD7AUMA1
G2312
G2312
$0 $/morceau
DMN3009LFV-13
SIHU6N80AE-GE3
SIHU6N80AE-GE3
$0 $/morceau
SIRA90DP-T1-GE3
ISZ0804NLSATMA1

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