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FDB86563-F085

FDB86563-F085

FDB86563-F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

compliant

FDB86563-F085 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.81764 $1454.112
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 110A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 163 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10100 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 333W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FDP047N08
FDP047N08
$0 $/morceau
IRFI510GPBF
IRFI510GPBF
$0 $/morceau
FDB082N15A
FDB082N15A
$0 $/morceau
IPS60R650CEAKMA1
FCA47N60-F109
FCA47N60-F109
$0 $/morceau
FDD8N50NZTM
FDD8N50NZTM
$0 $/morceau
AUIRL1404ZSTRL
TN2640LG-G
TN2640LG-G
$0 $/morceau
BUK9209-40B,118

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