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FDC6318P

FDC6318P

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onsemi

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6

SOT-23

FDC6318P Fiche de données

non conforme

FDC6318P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.33017 -
6,000 $0.30740 -
15,000 $0.29601 -
30,000 $0.28980 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A
rds activé (max) à id, vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 455pF @ 6V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

CAR600M12HN6
CAR600M12HN6
$0 $/morceau
PJL9812_R2_00001
ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
$0 $/morceau
PMV55ENEA,215
PMV55ENEA,215
$0 $/morceau
EFC4626R-TR
EFC4626R-TR
$0 $/morceau
PJS6601_S2_00001
NDS8934
NDS8934
$0 $/morceau
ALD110808ASCL
FDW9926NZ
FDC6333C
FDC6333C
$0 $/morceau

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