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FDC6327C

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FDC6327C

onsemi

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

FDC6327C Fiche de données

non conforme

FDC6327C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20494 -
6,000 $0.19172 -
15,000 $0.17850 -
30,000 $0.16924 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.7A, 1.9A
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 325pF @ 10V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

CAB760M12HM3
CAB760M12HM3
$0 $/morceau
FDG6304P
FDG6304P
$0 $/morceau
DMN5L06DWK-7-01
DMP3056LSD-13
DMN62D0UDW-7
DMN33D9LV-7A
BSL308CH6327XTSA1
NTLJD3115PTAG
NTLJD3115PTAG
$0 $/morceau
DMT3020LSDQ-13

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