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FDC6401N

FDC6401N

FDC6401N

onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6

FDC6401N Fiche de données

non conforme

FDC6401N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20989 -
6,000 $0.19635 -
15,000 $0.18280 -
30,000 $0.17332 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 324pF @ 10V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

SP8K2TB
SP8K2TB
$0 $/morceau
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
$0 $/morceau
DMN2991UDA-7B
FDPC8013S
FDPC8013S
$0 $/morceau
IRL6297SDTRPBF
SI7942DP-T1-E3
SI7942DP-T1-E3
$0 $/morceau
APTM50AM38STG
VEC2415-TL-W
VEC2415-TL-W
$0 $/morceau
FF11MR12W1M1B11BOMA1
NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G
$0 $/morceau

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