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FDC645N

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FDC645N

onsemi

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

FDC645N Fiche de données

non conforme

FDC645N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.36940 -
6,000 $0.34393 -
15,000 $0.33119 -
30,000 $0.32424 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1460 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.6W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

IPP042N03LGXKSA1
SI2303-TP
SI2303-TP
$0 $/morceau
BUK9637-100E,118
IXTH96N20P
IXTH96N20P
$0 $/morceau
IXTA260N055T2
IXTA260N055T2
$0 $/morceau
IXTN60N50L2
IXTN60N50L2
$0 $/morceau
SI2306BDS-T1-E3
IPLK80R600P7ATMA1

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