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FDC6561AN

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FDC6561AN

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

FDC6561AN Fiche de données

compliant

FDC6561AN Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20920 -
6,000 $0.19571 -
15,000 $0.18221 -
30,000 $0.17276 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A
rds activé (max) à id, vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 220pF @ 15V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

DMG4822SSD-13
CSD87384M
CSD87384M
$0 $/morceau
SQJ910AEP-T1_BE3
IRF7319TRPBF
QH8MA4TCR
QH8MA4TCR
$0 $/morceau
SI4936CDY-T1-GE3
BSM600D12P3G001
NDS8936
NDS8936
$0 $/morceau
SLA5075
SLA5075
$0 $/morceau

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