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FDC8602

FDC8602

FDC8602

onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

FDC8602 Fiche de données

compliant

FDC8602 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.49280 -
6,000 $0.46816 -
15,000 $0.45056 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.2A
rds activé (max) à id, vgs 350mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 70pF @ 50V
puissance - max 690mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

QS6J1TR
QS6J1TR
$0 $/morceau
DMN3061SVT-13
NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
$0 $/morceau
PJS6835_S2_00001
DF23MR12W1M1B11BPSA1
FDPC1002S
APTC60TAM24TPG
SI3134KDW-TP
DMN2215UDM-7

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