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FDG6301N

FDG6301N

FDG6301N

onsemi

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

FDG6301N Fiche de données

compliant

FDG6301N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13485 -
6,000 $0.12668 -
15,000 $0.11851 -
30,000 $0.10870 -
75,000 $0.10461 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 220mA
rds activé (max) à id, vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 9.5pF @ 10V
puissance - max 300mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
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Numéro de pièce associé

IPG20N06S4L11ATMA2
FF8MR12W2M1B11BOMA1
SH8J62TB1
SH8J62TB1
$0 $/morceau
FDMA1025P
BSO211PH
BSO211PH
$0 $/morceau
DMN3401LDW-13
SH8KB7TB1
SH8KB7TB1
$0 $/morceau
FDW2516NZ
IRF7904TRPBF
FDMD8260L
FDMD8260L
$0 $/morceau

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