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FDMC7572S

FDMC7572S

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onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

FDMC7572S Fiche de données

non conforme

FDMC7572S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.20285 -
2608 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22.5A (Ta), 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2705 pF @ 13 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.3W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur Power33
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

FDS8840NZ
FDS8840NZ
$0 $/morceau
IRFBC30ALPBF
IRFBC30ALPBF
$0 $/morceau
STF7NM80
STF7NM80
$0 $/morceau
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018B7S
$0 $/morceau
DMG4466SSS-13
FQA46N15
FQA46N15
$0 $/morceau
PSMN038-100YLX
NDD60N745U1-1G
NDD60N745U1-1G
$0 $/morceau
IXTA60N20T
IXTA60N20T
$0 $/morceau

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