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FDMD86100

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6

FDMD86100 Fiche de données

non conforme

FDMD86100 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.54098 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A
rds activé (max) à id, vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2060pF @ 50V
puissance - max 2.2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-Power 5x6
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Numéro de pièce associé

CSD87381P
CSD87381P
$0 $/morceau
ISL6594ACRZ-TR5212
ISL6594ACRZ-TR5212
$0 $/morceau
CAB016M12FM3
CAB016M12FM3
$0 $/morceau
SI5935CDC-T1-E3
SIL2301-TP
SIL2301-TP
$0 $/morceau
CSD87355Q5D
CSD87355Q5D
$0 $/morceau
SI4946CDY-T1-GE3
SLA5059
SLA5059
$0 $/morceau
IRF7104TRPBF

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