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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 25V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 30nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V |
| puissance - max | 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-PowerWDFN |
| package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
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