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FDMS5672

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

FDMS5672 Fiche de données

compliant

FDMS5672 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.30680 -
6,000 $1.25840 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.6A (Ta), 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2800 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-MLP (5x6), Power56
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

IRFR7440TRPBF
SI5441BDC-T1-GE3
DMT15H053SSS-13
IPD50P04P413ATMA2
BSS138-7-F
BSS138-7-F
$0 $/morceau
AUIRFR6215
RSD201N10TL
RSD201N10TL
$0 $/morceau
RJP020N06T100
FDMC012N03
FDMC012N03
$0 $/morceau
HUF76107D3S

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