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FDMS86310

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

FDMS86310 Fiche de données

compliant

FDMS86310 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.05840 -
6,000 $1.02144 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 17A (Ta), 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 8V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.8mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6290 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/morceau
SIE882DF-T1-GE3
SQJQ480E-T1_GE3
DMN63D1LW-7
DMN63D1LW-7
$0 $/morceau
IRFU7546PBF
NTMFS4108NT3G
NTMFS4108NT3G
$0 $/morceau
BUK7S1R5-40HJ
BUK7S1R5-40HJ
$0 $/morceau
PJW3P10A_R2_00001
SIHP17N60D-GE3
SIHP17N60D-GE3
$0 $/morceau
STL19N60DM2
STL19N60DM2
$0 $/morceau

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