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FDN308P

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

FDN308P Fiche de données

compliant

FDN308P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16470 -
6,000 $0.15408 -
15,000 $0.14345 -
30,000 $0.13601 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 341 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

APT13F120B
APT13F120B
$0 $/morceau
IRFP350PBF
IRFP350PBF
$0 $/morceau
IPD50P03P4L11ATMA2
DMP4051LK3-13
SI4114DY-T1-GE3
IRF1404ZPBF
PSMN3R4-30PL,127
NTD32N06L-001
NTD32N06L-001
$0 $/morceau
AUIRF7732S2TR
FDB5680
FDB5680
$0 $/morceau

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