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FDN359BN

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

SOT-23

FDN359BN Fiche de données

non conforme

FDN359BN Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13994 -
6,000 $0.13146 -
15,000 $0.12297 -
30,000 $0.11280 -
75,000 $0.10856 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.7A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 650 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

SIR516DP-T1-RE3
AOWF12N50
RSS060P05HZGTB
NVMFS5C628NLAFT1G
NVMFS5C628NLAFT1G
$0 $/morceau
STP7N65M2
STP7N65M2
$0 $/morceau
PSMN2R2-25YLC,115
FDBL0110N60
FDBL0110N60
$0 $/morceau
SFT1440-TL-E
SFT1440-TL-E
$0 $/morceau
MTB55N06ZT4
MTB55N06ZT4
$0 $/morceau
DI050N06D1
DI050N06D1
$0 $/morceau

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