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FDN537N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3

FDN537N Fiche de données

compliant

FDN537N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20460 -
6,000 $0.19140 -
15,000 $0.17820 -
30,000 $0.16896 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 465 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

APT38M50J
APT38M50J
$0 $/morceau
STP13N60M2
STP13N60M2
$0 $/morceau
SPP20N60S5XKSA1
NTHL020N120SC1
NTHL020N120SC1
$0 $/morceau
HUF75542P3
HUF75542P3
$0 $/morceau
IST019N08NM5AUMA1
FQB25N33TM-F085
STB11NK50ZT4
STB11NK50ZT4
$0 $/morceau
VN10LFTA
VN10LFTA
$0 $/morceau

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